Фотоэлектрический датчик E3JK-R4M1 с отражателем, инфракрасный детектор

Фотоэлектрический переключатель с методом отражающего обнаружения для надежного обнаружения непрозрачных объектов. Диапазон обнаружения до 4 метров с возможностью регулировки чувствительности. Питание DC12-24V, выход управления до 2A, защита IP65. Время отклика 30 мс, рабочая температура от -30 до +65°C

Описание

Фотоэлектрический датчик с методом обнаружения — отражающий сенсор (рефлекс).

Диапазон обнаружения: 4 м ± 10%

Цель обнаружения: непрозрачный объект

Регулировка чувствительности: регулятор чувствительности

Время отклика: 30 мс

Напряжение питания: DC 12–24 В (рабочий диапазон 6–36 В), пульсация не более 10% (P-P)

Выдерживаемое напряжение: AC 1000 В, 50/60 Гц, 1 мин (между зарядной частью и корпусом)

Влияние напряжения: при отклонении номинального напряжения менее 15%, в пределах номинального напряжения ± 10% расстояние обнаружения не меняется более чем на 10%

Потребление тока: менее 3 мА

Выход управления: менее 2 А

Защита петли: вибрация B ≤ 30 г, время T ≤ 11 мс, частота F ≤ 55 Гц, амплитуда A ≤ 1 мм

Температура и влажность окружающей среды при работе: -30 до +65 °C (без льда и мороза), влажность от 35 до 85% RH

Влияние температуры: в диапазоне -30 до +65 °C относительно +23 °C расстояние обнаружения изменяется не более чем на ± 15%; в диапазоне -25 до +60 °C относительно +23 °C — не более чем на ± 10%

Сопротивление изоляции: не менее 50 МОм (DC 500 В, между зарядной частью и корпусом)

Материал корпуса: алюминиевое литьё под давлением и АБС-пластик; инспекционная поверхность (линза): PMMA

Защитная конструкция: IP65

Характеристики